IGBT的驱动电路特点（二）IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，48通道led驱动ic，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，高压线性led驱动ic，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，led驱动ic，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在u级的漏电流流过，基本上不消耗功率。因为在我国半导体材料关键集成ic产出率仍然较低，很多集成ic仍依靠進口，据新材料显示信息，17年我国集成电路芯片進口使用价值为2，601亿美金，远远超过了石油，是在我国第*大进口产品。在其中CPU、GPU、通用性电子控制系统中的FPGA/DSP、通讯装备中的MPU和DSP、储存设备中的DRAM和NandFlash、也有显示设备中的DisplayDriver，这种商品的经销商還是以英国、日本、日本国及在我国台湾省主导，全力以赴促进半导体产业国内生产制造的，非常是显示信息控制面板驱动器IC的国内生产制造的，是现阶段的重中之重。现在市面上实际应用的多是平面工艺的MOSFET，在开关电源等领域应用非常普遍，一般作为百开关管使用。实际的MOSFET有别于理想的MOSFET，栅极和源度极，源极和漏极都是存在电容的，要用合适的驱动电路才能使MOS管工作在低导通损耗的开关状态。比如600V的MOS管多用8-12V的栅极电压驱动，并且要求一定的驱动能力。也可以内用示波器看MOS管的波形，led芯片和led驱动ic是相同的吗，看是否工作在完全导通状态，上升和下降时间在辐射容满足要求的情况下，尽量的陡峭。)