地下位移测量方法及理论研究地下位移监测是地质灾害预测、岩土工程项目质量安全评价的重要手段及研究热点。它可以深入岩土体内部进行地下不同深度水平位移、沉降、倾斜方向等地质参数的动态监测，驱动芯片定做，因此能准确检测地下位移形变信息，确定滑移面和变形范围，进而研究变形机制、成灾现状、发展趋势及防灾预报。监测上的不可见和复杂性导致地下位移监测技术发展缓慢，存在精度差、成本高、非自动化或难于准确计算地下位移量等问题。本文提出了一种基于新型电磁式地下位移传感器组和GPRS无线网络的地下位移自动测量及远程监控方法，设计了水平型(Ⅰ型)和水平-垂直复合型(Ⅱ型)两款电磁式地下位移传感器。针对这两款传感器进行了地下位移测量方法及相关理论的深入研究工作。综合考虑影响Ⅰ、Ⅱ型传感器传感特性的各种因素及相关参数，提出了三个具有较高计算精度且适合硬件实现的测量理论模型。汽车传感器空气流量计/进气压力传感器，节气门位置zd传感器，驱动芯片，水温传感器，曲轴位置传感器，氧传感器，爆震传感器，车速传感器现在的车子基本上都有以上这些传感器，越的车子传感器也就多，前六个传感器是保证汽车正常运行基本的条件。进气压力传感器：检测进气歧管内的压力的大小，给ECU一个控制喷油脉宽的基准信号。空气流量计：检测进入发动机的空气量，给ECU一个控制喷油脉宽基准信号。曲轴位置传感器：检测上止点信号，曲轴转速信号，控制点火的各缸上版止点信号，控制顺序喷油的一缸上止点信号。节气门位置传感器：通过检测节气门的开度，提供给ECU一个作为断油，控制空燃比，修正点火提前角的基准信号。水温传感器：检测发动机冷却水的温度，ECU根据水温修正喷油量，点火提前角。氧传感器：检测排出废气中氧气的含量，修正喷油量，驱动芯片价格，使其保持在权理论值。CMOS传感器采用普通半导体电路常用的CMOS工艺，驱动芯片批发，具有集成度高、功耗小、速度快、本钱低等特性，近几年在宽动态、低照度方面展开疾速。CMOS即互补性金属氧化物半导体，主要是应用硅和锗两种元素所做成的半导体，经过CMOS上带负电和带正电的晶体管来完成基本的功用。这两个互补效应所产生的电流即可被处置芯片记载和解读成影像。)