IGBT的驱动电路特点（二）IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，led驱动ic，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在u级的漏电流流过，基本上不消耗功率。电流线性LED驱动IcLED电流可通过专用引脚上的高奥姆电阻轻松调整，IC供电电压范围介于6V至42V之间。具备智能型过热控制电路设计，可在温度上升时保持恒定电流，提供安全可靠的运作效能，并延长LED系统寿命。此外，驱动器只会在接面温度变得很高时降低LED电流。BCR431U拥有可低达1%等级的调光亮度，对多种LED灯条设计**吸引力。瑞泰威驱动IC厂家，是国内IC电子元器件的代理销售企业，**从事各类驱动IC、存储IC、传感器IC、触摸IC销售，品类齐全，具备上百个型号。集微网消息，手机led驱动ic，可以说2017一整年MLCC一直处于缺货状态，受惠于MLCC缺货和涨价的趋势，高压线性led驱动ic，驱动IC厂商矽创推出的HD以及FHD零电容驱动IC方案因相对具有成本优势，法人预估2018年的出货量将上涨30%以上。此外，法人表示，2018年下半年随着FHDTDDI开始出货，虽然初期对营收贡献较低，但长期来看有利于ASP的提升。瑞泰威驱动IC厂家，是国内IC电子元器件的代理销售企业，**从事各类驱动IC、存储IC、传感器IC、触摸IC销售，品类齐全，具备上百个型号。)