编辑-LL摘要:在前面几期的ASEMI课堂中大家已经对低压降肖特基有了初步的认识，今天我们就来解析低压降全塑封SBT2060VFCT与半塑封SBT2060VCT封装。相信通过前面几期的ASEMI课堂，大家都已经对低压降肖特基有了初步的认识。今天我们就来解析低压降全塑封SBT2060VFCT与半塑封SBT2060VCT封装差异与不同封装对低压降性能优势的发挥。首先，一起来看一下这两款低压降肖特基二极管型号的封装差异，让我们首先来了解一下一下CT/FCT和“VCT”/“VFCT”的含义差别。“CT”/“FCT”一般作为常规型肖特基二极管的封装标识，代表电性参数相同的不同封装形式，“FCT”代表全塑封封装，“CT”代表铁头封装。“VCT”/“VFCT”则针对的是低压降肖特基二极管的封装标识，同样也是代表具有低压降技术的电性参数相同的不同封装形式，“VFCT”代表全塑封封装，“VCT”代表铁头封装。编辑-LL摘要:点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。二极管型号按照构造都有哪些分类？：⒈点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的⒉键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接金或银的细丝而形成的。⒊合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。⒋扩散型二极管在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。⒌台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同，MUR3060PT大芯片，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用**腐蚀掉⒍平面型二极管在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，MURF1640CT大芯片，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的**腐蚀作用⒎合金扩散型二极管它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。⒏外延型二极管用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管编辑-LL摘要:说到MBR30150PT，MUR3040CTR大芯片，我们先简单分绍一下它的参数：肖特基二极管MBR30150PT，它的两个基本的参数是反向耐压150V，正向整流电流30A，30A对于大多数电子，电器产品来说都算是大电流，因此说到MBR30150PT，我们先简单分绍一下它的参数：肖特基二极管MBR30150PT，它的两个基本的参数是反向耐压150V，正向整流电流30A，30A对于大多数电子，电器产品来说都算是大电流，因此30A的电流量程使得MBR30150PT应用广泛，应用于各种电路控制板，液晶屏电流转换，大功率适配器等等。在电路设计当中常用的另外两个参数是正向压降和反向漏电流，对于一个电路来说，电路损耗是一定需要考虑的，肖特基二极管MBR30150PT，它的正向压降是0.89V，比普通的二极管1.1V，少了1/4的电路损耗，大芯片，这个比率是可观，于对一款产品来说，节能在现在代企业当中是一个重要的指标，另一个是参数反向漏电流也是重要的，反向漏电流过来，会使得电路的性能差，严重的可能损坏整个电路，MBR30150PT的反向漏电流地般都控制在10~20UA，这个值是一个比较低的值和电路中的正向电流相比可以忽略不计，ASEMI(图)-MUR3060PT大芯片-大芯片由鼎芯实业（深圳）有限公司提供。行路致远，砥砺前行。鼎芯实业（深圳）有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，与您一起飞跃，共同成功!同时本公司还是从事三相整流桥型号，三相整流桥经销商，三相整流桥模块的厂家，欢迎来电咨询。)