等离子刻蚀工艺高密度等离子体源在刻蚀工艺上具有许多优势，例如，可以更准确地控制工作尺寸，刻蚀速率更高，更好的材料选择性。高密度等离子体源可以在低压下工作，从而减弱鞘层振荡现象。使用高密度等离子体源刻蚀晶片时，为了使能量和离子通量彼此**，需要采用**射频源对晶圆施加偏压。因为典型的离子能量在几个电子伏特量级，在离子进入负鞘层后，其能量经加速将达到上百电子伏特，并具有高度指向性，从而赋予离子刻蚀的各向异性。如需了解更多感应耦合等离子体刻蚀的相关内容，欢迎拨打图片上的**电话！感应耦合等离子体刻蚀机的原理感应耦合等离子体刻蚀法（InductivelyCoupledPla**aEtch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。如果需要进行刻蚀，和蚀刻后，除污，清除浮渣，表面处理，等离子体聚合，等离子体灰化，感应耦合等离子体刻蚀机，或任何其他的蚀刻应用，我们能够制造客户完全信任的等离子处理系统，以满足客户的需要。我们既有常规的等离子体蚀刻系统，感应耦合等离子体刻蚀机品牌，也有反应性离子蚀刻系统，我们可以制造系列的产品，也可以为客户定制特殊的系统。我们可以提供快速/高品质的蚀刻，减轻等离子伤害，并提供的均匀性。等离子体处理可应用于所有的基材，甚至复杂的几何构形都可以进行等离子体活化、等离子体清洗，等离子体镀膜也毫无问题。等离子体处理时的热负荷及机械负荷都很低，因此，低压等离子体也能处理敏**材料。想要了解更多创世威纳的相关信息，欢迎拨打图片上的**电话！感应耦合等离子体刻蚀机的结构四真空系统真空系统有两套，分别用于预真空室和刻蚀腔体。预真空室由机械泵单独抽真空，感应耦合等离子体刻蚀机多少钱，只有在预真空室真空度达到设定值时，才能打开隔离门，进行传送片。刻蚀腔体的真空由机械泵和分子泵共同提供，刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。想了解更多关于感应耦合等离子体刻蚀的相关资讯，请持续关注本公司。感应耦合等离子体刻蚀机品牌-北京创世威纳由北京创世威纳科技有限公司提供。行路致远，砥砺前行。北京创世威纳科技有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，与您一起飞跃，共同成功!)