编辑-LLMOS管一bai般又叫场效应管，9N90_mos场效应管，与二极管du和三极管不同，二极管只能通过正zhi向电流，反向截止，不能控dao制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。ASEMI-7N65_mos管产品：7N65品牌：ASEMI电流：7A电压：650V产品描述：MOS管又称场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。7A，650V，10N60_mos场效应管，RDS(ON)=1.4Ω@VGS=10V/3.5ALowgatechargeLowCissFastswitching**alanchetestedImproveddv/dtcapability90N10/100N10-ASEMI-MOSFET管编辑-LL90N10/100N10-ASEMI-MOSFET管1，MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制构成增强型或耗尽型，24N50_mos场效应管，P沟道或N沟道共4种类型，但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不运用耗尽型的MOS管，不建议寻根究底。关于这两种增强型MOS管，_mos场效应管，比较常用的是NMOS。缘由是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，普通都用NMOS。下面的引见中，也多以NMOS为主。MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需求的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时分要省事一些，但没有办法避免，后边再细致引见。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动理性负载，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。编辑-LL6N60_mos管ASEMI供应厂商FEATURE6A，600V，RDS(ON)=1.2Ω@VGS=10V/3ALowgatechargeLowCissFastswitching**alanchetestedImproveddv/dtcapabilitymos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。24N50mos场效应管-ASEMI-_mos场效应管由鼎芯实业（深圳）有限公司提供。行路致远，砥砺前行。鼎芯实业（深圳）有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，与您一起飞跃，共同成功!同时本公司还是从事贴片整流桥，贴片整流桥厂家，贴片整流桥定制的厂家，欢迎来电咨询。)