SSR1013L_ASEMI高品质同步整流管编辑-LLSSR1013L，ASEMI同步整流器SSR1013L电性参数：50A，110V镭射激光打标，_mos管厂家，不褪色，黑胶材质：环氧塑脂材料包封稳定性好引脚为无氧铜、抗弯曲、导电性好SSR1013L：5K/箱箱体材质：牛皮纸耐压耐磨抗冲击1K/盒，50pcs/管，防静电牛皮纸盒防静电、易保存，可回收利用SSR1013L参数规格为：电流:50A电压：110V；盒装：1000Pcs/盒型号：SSR1013L品牌：ASEMI封装：220AB特性：整流电性参数：50A110V芯片材质：GPP正向电流(Io)：50A芯片个数：正向电压(VF)：芯片尺寸：浪涌电流If**：漏电流(Ir)：工作温度：-40~+150**时间(Trr)：10ns引线数量：3SSR1013L是一款开关电源次级侧同步整流器件，集成了控制芯片、储能电容和低***ON的功率MOSFET。采用自供电技术，10N60_mos管厂家，通过电流检测自动开/关MOSFET。在开关电源系统中可直接替换肖特基二极管使用，是一种应用简单且性能优异的次级整流器的解决方案编辑-LL20N10-ASEMI品质MOS管型号：20N10品牌：ASEMI封装：TO-220电性参数：20A100V正向电流：20A反向耐压：100V工作温度：-55~150°C特性：MOS管MOSFET做开关管的知识一般来讲，三极管是电流驱动的，MOSFET是电压驱动的，因为是用CPLD来驱动这个开关，25N120_mos管厂家，所以选择了用MOSFET做，这样也可以节省系统功耗吧，在做开关管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端间的管压降问题，比如一个5V的电源，经过管子后可能变为了4.5V，9N90_mos管厂家，这时候要考虑负载能不能接受了，曾经遇到过这样的问题就是负载的工作电压就是5V了，经过管子后发现系统工作不起来，后来才想起来管子上占了一部分压降了，类似的问题还有在使用二极管的时候(尤其是做电压反接保护时)也要注意管子的压降问题编辑-LLASEMI-100N10/90N10_MOSFET管参数MOS管主要参数如下：1.栅源击穿电压BVGS-在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开端剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。2.开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道MOS管，VT约为3～6V；-经过工艺上的改良，能够使MOS管的VT值降到2～3V。3.漏源击穿电压BVDS-在VGS=0（加强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开端剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS-ID剧增的缘由有下列两个方面：（1）漏极左近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿-有些MOS管中，其沟道长度较短，不时增加VDS会使漏区的耗尽层不时扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直承受耗尽层电场的吸收，抵达漏区，产生大的ID。4.直流输入电阻RGS-即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比-这一特性有时以流过栅极的栅流表示-MOS管的RGS能够很容易地超越1010Ω。5.低频跨导gm-在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和惹起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导-gm反映了栅源电压对漏极电流的控制才干-是表征MOS管放大才干的一个重要参数-普通在非常之几至几mA/V的范围内。10N60mos管厂家-_mos管厂家-ASEMI由鼎芯实业（深圳）有限公司提供。鼎芯实业（深圳）有限公司拥有很好的服务与产品，不断地受到新老用户及业内人士的肯定和信任。我们公司是商盟认证会员，点击页面的商盟**图标，可以直接与我们**人员对话，愿我们今后的合作愉快！同时本公司还是从事整流桥型号参数，整流桥型号封装，整流桥型号价格的厂家，欢迎来电咨询。)