电容器的投切方式二精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC，1.2/50μs，正负极性各15次电子式无触点可控硅投切电容器装置（TSC）可控硅投切电容器，是利用了电子开关反应速度快的特点。采用过零触发电路，检测当施加到可控硅两端电压为零时，发出触发信号，可控硅导通。此时电容器的电压与电网电压相等，因此不会产生合闸涌流，解决了接触器合闸涌流的问题。但是，可控硅在导通运行时，可控硅结间会产生一伏左右的压降，通常15KVAR三角形接法的电容器，额定电流22A，则一个可控硅消耗功率约为22W。如以一个150KVAR电容柜来算，传感器陶瓷电容器厂，运行时可控硅投切装置消耗的功率可达600W，而且都变成热量，使机柜温度升高。同时可控硅有漏电流存在，当未接电容时，即使可控硅未导通，其输出端也是高电压。优点：无涌流，无触点，使用寿命长、维修少，投切速度快（5ms内）；缺点：价格高为接触器的3倍、投切速度0.5s左右智能低压电容器的优点精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC，1.2/50μs，正负极性各15次。1.分相补偿：实现单相分别补偿，解决三相负荷不平衡状况；对无功缺额较大的一相进行单独补偿，达到优化的补偿效果。2.智能网络：多台智能低压电力电容器联网使用时，自动生成一个网络，其中地址码较小的一个为主机，其余为从机，构成低压无功自动控制系统；如果个别从机故障，自动退出，不影响其余工作，如果主机故障，也要退出，在其余从机中产生一个新的主机，组成一个新的系统；容量相同的电容器按循环投切原则，容量不同的电容器按适补原则投切；485通讯接口，可以接入后台计算机，进行配电综合管理。智能电容器一般会出现什么问题？精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC，1.2/50μs，正负极性各15次。1、电容器的爆1炸：电容器如果内部的元件被击穿，与之其他的电容器就会对其进行放电，能量过去大就会导致爆1炸，爆1炸就不但会对周围的所有设备造成**发生火灾，而且严重的还会危机到人的生命。2、外壳膨胀：在电压的作用下电容器内部介质会发生游离，或者是当元件被击穿时都会导致介质析出气体，在密封的外壳中这些气体将引起压力的增加，因而将引起外壳膨胀。传感器陶瓷电容器厂-七星飞行由北京七星飞行电子有限公司提供。北京七星飞行电子有限公司为客户提供“超高压陶瓷电容器”等业务，公司拥有“七星飞行”等品牌，专注于电容器等行业。欢迎来电垂询，联系人：陈经理。)