编辑-LLTVS二极管主要参数：主要电参数1.击穿电bai压duV(BR)2.zhi反向脉dao冲峰值电回流IPP3.反向工答作电压VRWM（或变位电压）4.箝位电压Vc(max)5.反向脉冲峰值功率PPR6.电容CPPTVS的电容由硅片的面积和偏置电压来决定，电容在零偏情况下，***BJ36A过电压保护，随偏置电压的增加，该电容值呈下降趋势。电容的大小会影响TVS器件的响应时间。7.漏电流IR编辑-LLTVS二极管特性特点?采用bai半导体工艺du，具有很高的可靠性，无损坏极限；?玻璃钝化zhi工艺，***BJ33A过电压保护，精准的导通dao电压；?瞬态功率大，低电容、低漏电流，箝位电压易控制；?快速响应时间：通常小于1.0PS；?优良的钳位能力，击穿电压偏差小；?电压精度高，在特殊应用场合，通过工艺或参数筛选可达到更高的精度；?体积小，易安装；?单向和双向单元；?在10/1000μs波形下瞬态功率可达200W-30000W，甚至更高；?工作电压范围3.3V~600V，甚至更高；?封装形式多样化，***CJ58A过电压保护，贴片封装：SOD-123、***A/DO-214AC、***B/DO-214AA、***C/DO-214AB、DO-218AB等，直插封装：DO-41、DO-15、DO-201、R/P-600等；?无卤化，过电压保护，符合RoHS；编辑-LLVBR是TVS的雪崩电压。25℃时，在这个电压之前，TVS是不导通的。当TVS流过规定的1mA电流（IR）时，加入TVS两极间的电压为其击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把TVS分为±5%VBR和±10%VBR两种。对于±5%VBR来说，VWM=0.85VBR；对于±10%VBR来说，VWM=0.81VBR。③箝拉电压VC和峰值脉冲电流IPP当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两极间出现的峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌**能力。VC与VBR之比称为箝位因子，一般在1.2~1.4之间。④电容量C电容量C是TVS雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比，C过大将使信号衰减。因此，C是数据接口电路选用TVS的重要参数。ASEMI(图)-***CJ58A过电压保护-过电压保护由鼎芯实业（深圳）有限公司提供。“电源IC,整流桥,肖特基,快**全系列”就选鼎芯实业（深圳）有限公司，公司位于：深圳市福田区福虹路9号世贸广场A座38层，多年来，鼎芯实业坚持为客户提供好的服务，联系人：李强。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。鼎芯实业期待成为您的长期合作伙伴！同时本公司还是从事整流桥品牌有那些，整流桥品牌哪家好，整流桥品牌挑选的厂家，欢迎来电咨询。)