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***BJ26A瞬态**二极管-瞬态**二极管-ASEMI
编辑-LLTVS二极管优点:1)击穿(导通)前相当于开路,电阻很大,没有漏电流或漏电流很小;2)击穿(导通)后相当于短路,可通过很大的电流,压降很小;3)具有双向对称特性;4)响应速度都很快ps级;5)击穿电压一致性好;TVS二极管缺点:1)通流量较小,只有几百A;2)击穿电压只有若干特定值;3)电容较大,***BJ18A瞬态**二极管,有几十至几百pF;编辑-LLTVS二极管主要参数:主要电参数1.击穿电bai压duV(BR)2.zhi反向脉dao冲峰值电回流IPP3.反向工答作电压VRWM(或变位电压)4.箝位电压Vc(max)5.反向脉冲峰值功率PPR6.电容CPPTVS的电容由硅片的面积和偏置电压来决定,电容在零偏情况下,随偏置电压的增加,该电容值呈下降趋势。电容的大小会影响TVS器件的响应时间。7.漏电流IR编辑-LLTVS二极管特性特点?采用bai半导体工艺du,具有很高的可靠性,无损坏极限;?玻璃钝化zhi工艺,精准的导通dao电压;?瞬态功率大,低电容、低漏电流,***CJ58A瞬态**二极管,箝位电压易控制;?快速响应时间:通常小于1.0PS;?优良的钳位能力,瞬态**二极管,击穿电压偏差小;?电压精度高,在特殊应用场合,通过工艺或参数筛选可达到更高的精度;?体积小,易安装;?单向和双向单元;?在10/1000μs波形下瞬态功率可达200W-30000W,甚至更高;?工作电压范围3.3V~600V,甚至更高;?封装形式多样化,贴片封装:SOD-123、***A/DO-214AC、***B/DO-214AA、***C/DO-214AB、DO-218AB等,直插封装:DO-41、DO-15、DO-201、R/P-600等;?无卤化,符合RoHS;***BJ26A瞬态**二极管-瞬态**二极管-ASEMI由鼎芯实业(深圳)有限公司提供。鼎芯实业(深圳)有限公司在二极管这一领域倾注了诸多的热忱和热情,鼎芯实业一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场,衷心希望能与社会各界合作,共创成功,共创辉煌。相关业务欢迎垂询,联系人:李强。同时本公司还是从事单相整流方桥,单相整流桥定制,单相整流桥价格的厂家,欢迎来电咨询。)